2013年國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

中國(guó)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)訊：

    內(nèi)容提要：未來(lái)LED芯片面臨大型化發(fā)展時(shí)，熱歪斜問(wèn)題勢(shì)必變成無(wú)法忽視的困擾，針對(duì)上述問(wèn)題，具備接近LED芯片的熱膨脹系數(shù)的陶瓷，可說(shuō)是對(duì)熱歪斜對(duì)策非常有利的材料。

    一，高功率LED的封裝基板發(fā)展趨勢(shì)

　　長(zhǎng)久以來(lái)顯示應(yīng)用一直是led發(fā)光元件主要訴求，并不要求LED高散熱性，因此LED大多直接封裝于一般樹(shù)脂系基板，然而2000年以后隨著LED高輝度化與高效率化發(fā)展，尤其是藍(lán)光LED元件的發(fā)光效率獲得大幅改善，液晶、家電、汽車(chē)等業(yè)者也開(kāi)始積極檢討LED的適用性。

　　技術(shù)上高功率LED封裝后的商品，使用時(shí)散熱對(duì)策實(shí)為非常棘手，而此背景下具備高成本效率，且類(lèi)似金屬系基板等高散熱封裝基板的產(chǎn)品發(fā)展動(dòng)向，成為L(zhǎng)ED高效率化之后另1個(gè)備受?chē)谀康慕裹c(diǎn)。

１，高效率化　金屬基板備受關(guān)注

　　硬質(zhì)金屬系封裝基板是利用傳統(tǒng)樹(shù)脂基板或是陶瓷基板，賦予高熱傳導(dǎo)性、加工性、電磁波遮蔽性、耐熱沖擊性等金屬特性，構(gòu)成新世代高功率LED封裝基板。

　　高功率LED封裝基板是利用環(huán)氧樹(shù)脂系接著劑將銅箔黏貼在金屬基材的表面，透過(guò)金屬基材與絕緣層材質(zhì)的組合變化，制成各種用途的LED封裝基板。

　　高散熱性是高功率LED封裝用基板不可或缺的基本特性，因此上述金屬系LED封裝基板使用鋁與銅等材料，絕緣層大多使用高熱傳導(dǎo)性無(wú)機(jī)填充物(Filler)的環(huán)氧樹(shù)脂。鋁質(zhì)基板是應(yīng)用鋁的高熱傳導(dǎo)性與輕量化特性制成高密度封裝基板，目前已經(jīng)應(yīng)用在冷氣空調(diào)的轉(zhuǎn)換器(Inverter)、通訊設(shè)備的電源基板等領(lǐng)域，也同樣適用于高功率LED封裝。

　　一般而言，金屬封裝基板的等價(jià)熱傳導(dǎo)率標(biāo)準(zhǔn)大約是2W/mK，為滿足客戶4~6W/mK高功率化的需要，業(yè)者已經(jīng)推出等價(jià)且熱傳導(dǎo)率超過(guò)8W/mK的金屬系封裝基板。由于硬質(zhì)金屬系封裝基板主要目的是支持高功率LED封裝，因此各封裝基板廠商正積極開(kāi)發(fā)可以提高熱傳導(dǎo)率的技術(shù)。

　　硬質(zhì)金屬系封裝基板的主要特征是高散熱性。高熱傳導(dǎo)性絕緣層封裝基板，可以大幅降低LED芯片的溫度。此外基板的散熱設(shè)計(jì)，透過(guò)散熱膜片與封裝基板組合，還望延長(zhǎng)LED芯片的使用壽命。

　　金屬系封裝基板的缺點(diǎn)是基材的金屬熱膨脹系數(shù)非常大，與低熱膨脹系數(shù)陶瓷系芯片元件焊接時(shí)情形相似，容易受到熱循環(huán)沖擊，如果高功率LED封裝使用氮化鋁時(shí)，金屬系封裝基板可能會(huì)發(fā)生不協(xié)調(diào)的問(wèn)題，因此必須設(shè)法吸收LED模塊各材料熱膨脹系數(shù)差異造成的熱應(yīng)力，藉此緩和熱應(yīng)力進(jìn)而提高封裝基板的可靠性。

    • ２，封裝基板業(yè)者積極開(kāi)發(fā)可撓曲基板

　　可撓曲基板的主要用途大多集中在布線用基板，以往高功率晶體管與IC等高發(fā)熱元件幾乎不使用可撓曲基板，最近幾年液晶顯示器為滿足高輝度化需求，強(qiáng)烈要求可撓曲基板可以高密度設(shè)置高功率LED，然而LED的發(fā)熱造成LED使用壽命降低，卻成為非常棘手的技術(shù)課題，雖然利用鋁板質(zhì)補(bǔ)強(qiáng)板可以提高散熱性，不過(guò)卻有成本與組裝性的限制，無(wú)法根本解決問(wèn)題。

　　高熱傳導(dǎo)撓曲基板在絕緣層黏貼金屬箔，雖然基本結(jié)構(gòu)則與傳統(tǒng)撓曲基板完全相同，不過(guò)絕緣層采用軟質(zhì)環(huán)氧樹(shù)脂充填高熱傳導(dǎo)性無(wú)機(jī)填充物的材料，具有與硬質(zhì)金屬系封裝基板同等級(jí)8W/mK的熱傳導(dǎo)性，同時(shí)兼具柔軟可撓曲、高熱傳導(dǎo)特性與高可靠性。此外可撓曲基板還可以依照客戶需求，將單面單層面板設(shè)計(jì)成單面雙層、雙面雙層結(jié)構(gòu)。

　　高熱傳導(dǎo)撓曲基板的主要特征是可以設(shè)置高發(fā)熱元件，并作三次元組裝，亦即可以發(fā)揮自由彎曲特性，進(jìn)而獲得高組裝空間利用率。

　　根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示使用高熱傳導(dǎo)撓曲基板時(shí)，LED的溫度約降低100C，此意味溫度造成LED使用壽命的降低可望獲得改善。事實(shí)上除了高功率LED之外，高熱傳導(dǎo)撓曲基板還可以設(shè)置其它高功率半導(dǎo)體元件，適用于局促空間或是高密度封裝等要求高散熱等領(lǐng)域。

　　有關(guān)類(lèi)似照明用LED模塊的散熱特性，單靠封裝基板往往無(wú)法滿足實(shí)際需求，因此基板周邊材料的配合變得非常重要，例如配合3W/mK的熱傳導(dǎo)性膜片，可以有效提高LED模塊的散熱性與組裝作業(yè)性。

　　３，陶瓷封裝基板對(duì)熱歪斜非常有利

　　如上所述白光LED的發(fā)熱隨著投入電力強(qiáng)度的增加持續(xù)上升，LED芯片的溫升會(huì)造成光輸出降低，因此LED封裝結(jié)構(gòu)與使用材料的檢討非常重要。以往LED使用低熱傳導(dǎo)率樹(shù)脂封裝，被視為影響散熱特性的原因之一，因此最近幾年逐漸改用高熱傳導(dǎo)陶瓷，或是設(shè)有金屬板的樹(shù)脂封裝結(jié)構(gòu)。LED芯片高功率化常用方式分別包括了：LED芯片大型化、改善LED芯片發(fā)光效率、采用高取光效率封裝，以及大電流化等等。

　　雖然提高電流發(fā)光量會(huì)呈比例增加，不過(guò)LED芯片的發(fā)熱量也會(huì)隨著上升。因?yàn)樵诟咻斎腩I(lǐng)域放射照度呈現(xiàn)飽和與衰減現(xiàn)象，這種現(xiàn)象主要是LED芯片發(fā)熱所造成，因此LED芯片高功率化時(shí)，首先必須解決散熱問(wèn)題。

　　LED的封裝除了保護(hù)內(nèi)部LED芯片之外，還兼具LED芯片與外部作電氣連接、散熱等功能。LED封裝要求LED芯片產(chǎn)生的光線可以高效率取至外部，因此封裝必須具備高強(qiáng)度、高絕緣性、高熱傳導(dǎo)性與高反射性，令人感到意外的是陶瓷幾乎網(wǎng)羅上述所有特性，此外陶瓷耐熱性與耐光線劣化性也比樹(shù)脂優(yōu)秀。

　　４，傳統(tǒng)高散熱封裝是將LED芯片設(shè)置在基板上

　　屬基板上周?chē)�再包覆�?shù)脂，然而這種封裝方式的金屬熱膨脹系數(shù)與LED芯片差異相當(dāng)大，當(dāng)溫度變化非常大或是封裝作業(yè)不當(dāng)時(shí)極易產(chǎn)生熱歪斜，進(jìn)而引發(fā)芯片瑕疵或是發(fā)光效率降低。

　　未來(lái)LED芯片面臨大型化發(fā)展時(shí)，熱歪斜問(wèn)題勢(shì)必變成無(wú)法忽視的困擾，針對(duì)上述問(wèn)題，具備接近LED芯片的熱膨脹系數(shù)的陶瓷，可說(shuō)是對(duì)熱歪斜對(duì)策非常有利的材料。

　　提高LED高熱排放至外部的熱傳達(dá)特性，以往大多使用冷卻風(fēng)扇與熱交換器，由于噪音與設(shè)置空間等諸多限制，實(shí)際上包含消費(fèi)者、照明燈具廠商在內(nèi)，都不希望使用上述強(qiáng)制性散熱元件，這意味著非強(qiáng)制散熱設(shè)計(jì)必須大幅增加框體與外部接觸的面積，同時(shí)提高封裝基板與框體的散熱性。

　　具體對(duì)策如：高熱傳導(dǎo)銅層表面涂布利用遠(yuǎn)紅外線促進(jìn)熱放射的撓曲散熱薄膜等，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)使用該撓曲散熱薄膜的發(fā)熱體散熱效果，幾乎與面積接近散熱薄膜的冷卻風(fēng)扇相同，如果將撓曲散熱薄膜黏貼在封裝基板、框體，或是將涂抹層直接涂布在封裝基板、框體，理論上還可以提高散熱性。 

    有關(guān)高功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，要求能夠支持LED芯片磊晶接合的微細(xì)布線技術(shù);有關(guān)材質(zhì)的發(fā)展，雖然氮化鋁已經(jīng)高熱傳導(dǎo)化，但高熱傳導(dǎo)與反射率的互動(dòng)關(guān)系卻成為另1個(gè)棘手問(wèn)題，一般認(rèn)為未來(lái)若能提高氮化鋁的熱傳導(dǎo)率，對(duì)高功率LED的封裝材料具有正面助益。